QS-AX30T模拟传感器
· 材料: 金属
· 材料物理性质:半导体
· 材料晶体结构:多晶
· 制作工艺: 集成
· 输出信号: 数字型
· 防护等级: Ip68
· 线性度: 士0.02 ( %F.S. )
· 迟滞: 士0.02 ( %F.S. )
· 重复性: 士0.03 ( %F.S. )
· 灵敏度: 士0.002MV/V
· 漂移: 0.03
· 分辨率:万分之一
· 材料: 金属
· 材料物理性质:半导体
· 材料晶体结构:多晶
· 制作工艺: 集成
· 输出信号: 数字型
· 防护等级: Ip68
· 线性度: 士0.02 ( %F.S. )
· 迟滞: 士0.02 ( %F.S. )
· 重复性: 士0.03 ( %F.S. )
· 灵敏度: 士0.002MV/V
· 漂移: 0.03
· 分辨率:万分之一